삼성전자는올해256기가바이트(GB)DDR5모듈을개발해고집적시장을선도하고고대역메모리(HBM)경쟁력도강화한다는계획이다.아울러V낸드등신공정개발에박차를가해업계를선도한다는목표를세웠다.
특히제롬파월연준의장의인플레이션판단이바뀌지않은점에시장은주목했다.
다만,은행권에서는올해하반기주요국금리인하가가시화한다면은행채발행이늘어날수있다고전망했다.
삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
(서울=연합인포맥스)정선미기자=달러-원환율이전날크게하락한부분을되돌리며상승세로출발했다.
S&P글로벌이집계한3월제조업구매관리자지수(PMI)는54.9로잠정집계돼전달의53.5에서상승했다.이는22개월만에최고치이다.다만서비스업PMI는51.7로잠정집계돼전달의52.3보다하락했다.다만해당수치는50을웃돌아확장세를유지했다.
파운드리의경우게이트올어라운드(GAA)3나노공정으로모바일애플리케이션프로세서(AP)제품을안전적으로양산한다.
박실장은올해는고금리채권과국내직접대출중심으로신규투자를진행할것이라며당장의수익성은떨어질수있지만당기손익의변동성을관리하는차원에서규모와시기에접근할생각이라고말했다.